芯片HAST测试

适用范围:  

该试验检查芯片长期贮存条件下，高温和时间对器件的影响。本规范适用于量产芯片验证测试阶段的HAST测试需求，仅针对非密封封装(塑料封装)，带偏置(bHAST)和不带偏置(uHAST)的测试。

简介：

该试验通过温度、湿度、大气压力加速条件，评估非密封封装器件在上电状态下，在高温、高压、潮湿环境中的可靠性。它采用了严格的温度，湿度，大气压、电压条件，该条件会加速水分渗透到材料内部与金属导体之间的电化学反应。

引用文件：

下列文件中的条款通过本规范的引用而成为本规范的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本规范，然而，鼓励根据本规范达成协议的各方研究是否可使用这些文件的新版本。凡是不注日期的引用文件，其新版本适用于本规范。

1.  HAST测试流程

2.  HAST测试条件
2.1 温度、湿度、气压、测试时间  HAST试验条件如下表所示：

➢ 通常选择HAST高压加速老化试验箱RK-HAST-350，即：130℃、85%RH、230KPa大气压，96hour测试时间。
➢ 测试过程中，建议调试阶段监控芯片壳温、功耗数据推算芯片结温，要保证结温不能过 高，并在测试过程中定期记录。结温推算方法参考《HTOL测试技术规范》。
➢ 如果壳温与环温差值或者功耗满足下表三种关系时，特别是当壳温与环温差值超过 10℃时，需考虑周期性的电压拉偏策略。

➢ 注意测试起始时间是从环境条件达到规定条件后开始计算；结束时间为开始降温降压操 作的时间点。
2.2 电压拉偏
uHAST测试不带电压拉偏，不需要关注该节；
bHAST需要带电压拉偏，遵循以下原则：
(1) 所有电源上电，电压：推荐操作范围电压(Maximum Recommended Operating Conditions）
(2) 芯片功耗小(数字部分不翻转、输入晶振短接、其他降功耗方法)；
(3) 输入管脚在输入电压允许范围内拉高。
(4) 其他管脚，如时钟端、复位端、输出管脚在输出范围内随机拉高或者拉低；
2.3 样本量

3.  HAST设备
➢ 高温、高压、湿度控制试验箱（HAST高压加速老化试验箱）——温度、湿度、气压强度范围可控，测试时间可控。
4.  失效判据
➢ ATE\功能筛片有功能失效、性能异常。
5.  HAST测试注意事项
➢ 测试过程要求每天记录电源电压、电流、环境温度、壳温(推算结温)等关键数据。
➢ 注意芯片内部模拟电路是否有上电默认开启的模块，这样的模块会导致静态电流太大，引起其他机制的失效。
➢ 调试过程注意，考虑到较大的电流引起压降，电压等的记录应该是到板电压，而不是电源源端电压。
➢ 调试过程注意，室温条件下的电源电压与规定要求下的电源电压不同，可以在室温下初调，待试验环境到达HAST设定条件后做终调试